Tipo de díodo: comutador
Montagem: THT
Tensão máxima inversa: 100V
Corrente de condução: 300mA
Corrente de condução máx.: 400mA
Estrutura do semicondutor: díodo individual
Propriedades de dispositivos semicondutores: comutação rápida
Capacidade: 4pF
Corrente no impulso max.: 4A
Carcaça: DO35
Tensão de condução máxima: 1V
Potência dissipada: 500mW
Tempo de prontidão: 4ns