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Memória de 8GB SODIMM DDR3 1600Mhz 1,35V 2Rx8 para Notebook KCP3L16SD8/8
Memória de 8GB SODIMM DDR3 1600Mhz 1,35V 2Rx8 para Notebook KCP3L16SD8/8
€82.29
EAN: 7406172537574
Disponível por encomenda
Descrição
8GB 1600MHz Low Voltage SODIMM
Códigos de memórias equivalentes:
Dell: A7022339
HP: 693374-001; 693374-005; B4U40AA; H6Y77AA; H6Y77ET; H6Y77UT; L4Z10AV; L6F42AV
Lenovo: 0B47381; 5M30G18424
Panasonic: CF-KBAS08GM
Toshiba: PA5104U-1M8G
| INFORMAÇÕES DO PRODUTO | |||||
| Tipo: | Memória Proprietária | ||||
| Fabricante: | Kingston Technology | ||||
| Categoria: | Memórias | ||||
| Código de Produto: | Código UPC | Peso do Produto | Peso do Produto no Blister | Dimensões do Produto
(larg. x alt. x espessura) |
Dimensões do Produto na embalagem
(larg. x alt. x espessura) |
| KCP3L16SD8/8 | 740617253757 | 7,08g | 14,97g | 67,60 X 30 x 3,3mm | 45,72 x 95,25 x 7,62mm |
| Descrição:
|
As Memórias KCP da Kingston são projetadas para garantir 100% de compatibilidade com sistemas específicos. Além disso são produzidas somente com componentes da mais alta qualidade e todos os módulos são testados antes de sair da fábrica, o que garante o máximo de desempenho com a reconhecida confiabilidade da Kingston, reforçada pela garantia vitalícia destes produtos. | ||||
| Descrição Resumida: | A memória proprietária da Kingston® para notebook é projetada para garantir 100% de compatibilidade com sistemas específicos. | ||||
| Destaques: | Compatível com: Acer, Asus, Dell, Fujitsu, HP, Lenovo, NEC, Samsung, Toshiba, outros. Para consultar compatibilidade com seu sistema consulte o configurador de memória: http://www.kingston.com/br/memory/search/options/ | ||||
| Capacidade: | 8GB | ||||
| Velocidade da Frequência: | 1600MHz | ||||
| Cor: | Padrão | ||||
| Garantia: | |||||
| Suporte Técnico Local: | Gratuito. 0800 810 5464 | ||||
| Características / Benefícios: | DDR3L
Tensão 1,35V VDDQ = 1,35V 800MHz fCK para 1600Mb/sec/pin Latência (CAS) programável: 11, 10, 9, 8, 7, 6 Latência aditiva programável: 0, CL -2, ou clock CL -1 8 Bancos internos independentes 8-bit pre-fetch Burst length (BL) de 8 ou 4 com tCCD – 4 não permite leitura e gravação simultâneas Calibração interna (automática): calibração interna automática através do pino ZQ (RZQ: 240 ohms ± 1%) Data Strobe Bi-direcional diferencial Terminação na placa utilizando o pino ODT Período médio de atualização 7.8us a temperaturas internas menores que 85°C, 3,9us a 85°C < Temperatura interna < 95°C Redefinição Assíncrona PCB: Altura 1,180” (30mm), componentes em ambos os lados |
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| Especificações: | CL(IDD) 11 ciclos
Row Cycle Time (tRCmin) 45,125ns (mín.) Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin) 260ns (min.) Row Active Time (tRASmin) 35ns (min.) UL Rating 94 V – 0 Consumo máximo em operação (1,35V) = 2,721W* Temperatura de Operação 0oC a 85oC Temperatura de Armazenamento -55oC a +100oC *O consumo de energia irá variar de acordo com a memória RAM em uso. |
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