Tipo FET
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Canal N
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Tecnologia
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MOSFET (óxido metálico)
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Drene para a tensão da fonte (Vdss)
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1500 V
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Corrente – Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C
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2,5A (Ta)
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Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
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15V
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Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs
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12Ohm @ 2A, 15V
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Vgs (th) (Max) @ Id
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–
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Vgs (máx.)
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± 20V
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Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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990 pF @ 10 V
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Recurso FET
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–
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Dissipação de energia (máx.)
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100W (Tc)
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Temperatura de operação
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150 ° C (TJ)
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Tipo de montagem
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Através do orifício
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Pacote de dispositivo do fornecedor
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TO-3P
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MOSFET N-CH 1500V 2.5A 100W
€6.51