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MOSFET N-CH 80V 82A 2.5W Montagem em Superfície – Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 82A 2.5W Montagem em Superfície – Infineon Technologies
€2.26
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Tipo FET
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Canal N
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Tecnologia
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MOSFET (óxido metálico)
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Drene para a tensão da fonte (Vdss)
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80 V
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Corrente – Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C
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82A (Tc)
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Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)
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6V, 10V
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Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs
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6,1mOhm @ 41A, 10V
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Vgs (th) (Max) @ Id
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3,8 V @ 41 µA
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Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs
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33 nC a 10 V
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Vgs (máx.)
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± 20V
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Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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2500 pF a 40 V
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Recurso FET
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–
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Dissipação de energia (máx.)
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2,5W (Ta), 74W (Tc)
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Temperatura de operação
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-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
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Tipo de montagem
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Montagem em superfície
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Pacote de dispositivo do fornecedor
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PG-TDSON-8-7
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Embalagem / Caixa
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8-PowerTDFN
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