Tipo de díodo: comutador

Montagem: THT

Tensão máxima inversa: 100V

Corrente de condução: 300mA

Corrente de condução máx.: 400mA

Estrutura do semicondutor: díodo individual

Propriedades de dispositivos semicondutores: comutação rápida

Capacidade: 4pF

Corrente no impulso max.: 4A

Carcaça: DO35

Tensão de condução máxima: 1V

Potência dissipada: 500mW

Tempo de prontidão: 4ns